JB/T 12068-2014 TDR-Z直拉法鍺單晶爐
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JB/T 12068-2014.
1范圍
JB/T 12068規(guī)定了對(duì)TDR-Z直拉法鍺單晶爐(以下簡稱鍺單品爐)產(chǎn)品的型號(hào)品種規(guī)格、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存及訂購和供貨等。
JB/T 12068適用于直拉法拉制鍺單品的品體爐。
規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其*新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB 150—2011壓力容器
GB/T 2900.23—2008電工術(shù)語工業(yè)電熱裝置GB 3095——1996環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 10066.1—2004電熱設(shè)備的試驗(yàn)方法第Ⅰ部分:通用部分GB/T 10066.4-—2004電熱設(shè)備的試驗(yàn)方法第4部分:問接電阻爐GB/T 10067.1——2005
電熱裝置基本技術(shù)條件第1部分:通用部分
GB/T 10067.4—2005電熱裝置基本技術(shù)條件第4部分:問接電阻爐JB/T 9691——1999電熱設(shè)備產(chǎn)品型號(hào)編制方法
3術(shù)語和定義
GB/T 2900.23—-2008、GB/T 10066.4—2004確立的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
鍺單晶爐germanium mono-crystal growing furnace
在真空或在惰性氣體保護(hù)下,以直拉法生長鍺單品的電子專用設(shè)備。
3.2
直拉法Czochralski method
又稱引上法、切克勞斯基法,把高純的多品材料放在紺蝸內(nèi)并加熱使之熔化,用固定在拋拉軸上的籽品與熔融的材料相熔接,然后以一定的速度垂直向上提拉,品體便在籽品下端沿已確定品向方向—─定向生長。
(JB/T 12068-2014 TDR-Z直拉法鍺單晶爐標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容僅部分展示)
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